MOSFETのボディダイオードの逆回復時間が遅いせいでPWMのノイズがやばいことについての対策がスイッチング速度を遅くすることくらいしか思いつかない

— 夏目　雫 (@875363265982808064) Tue Jul 27 20:55:40 +0000 2010

…というわけで今日はmosfet applicationsでも話題のMOSFETについて、写真や動画、ニュースの調査結果をまとめます！

MOSFETのボディダイオードの逆回復時間が遅いせいで流れる貫通電流を測定してみたけどp-pで40A近く流れてて草 測り方が正しいかはちょっと怪しいけど pic.twitter.com/q0doniBTRx

— 夏目　雫 (@875375058268545025) Tue Jul 27 20:55:40 +0000 2010

うわめんどくせだれだよこんなにハザードとかETCとかアクセサリーの配線、フォルツァのMOSFETレギュレータいれたやつ#ブーメラン pic.twitter.com/UEPfS3D7aD

— べに (@872803335140593666) Sat May 22 15:36:32 +0000 2010

MOSFETのボディダイオードの逆回復時間が遅いせいでPWMのノイズがやばいことについての対策がスイッチング速度を遅くすることくらいしか思いつかない

— 夏目　雫 (@875363265982808064) Tue Jul 27 20:55:40 +0000 2010

最近ちょい大きめのMOSFETが6個ついてるESCをよく見る．流行ってるんだろうか．使っているのも同型のようで確かに調子がいいし，電源挿した状態で放置してても熱くならない．結構スタンバイで熱くなったりするのが多かった印象だ．

— ShookatsuFPV＠就活 (@875001079057924098) Thu Sep 15 13:29:28 +0000 2016

あ、DCDCのMOSFETとインダクタ両方をパラるなら、それぞれ独立させて、なんちゃってマルチフェーズとして動作させたほうがいいのか

— 銀茄子 (@874625237270151169) Sun Jul 12 06:25:43 +0000 2009

MOSFETの電流検出用両端電圧測定端子の外側にシリアルに抵抗を入れて、電流制限が発動する前にIGBTのVceを超えさせる方法がまずあるな

— 銀茄子 (@874604766361300992) Sun Jul 12 06:25:43 +0000 2009

MOSFETのRdsで過電流検知する電源ICみてるんだけど、MOSFETをIGBTに置き換えるためにこの制御を殺す方法探してるけどわからん

— 銀茄子 (@874603673548079104) Sun Jul 12 06:25:43 +0000 2009

ほーん？購入したLTC1625搭載コンバータ、電流センス抵抗がどこかわからんと思ったら、MOSFETのON抵抗Rdsで電流検出するのね

— 銀茄子 (@874494624479432704) Sun Jul 12 06:25:43 +0000 2009

いっそYZF-R1のインジェクターとスロットルボディを使い、RX210あたりでECU作ってC言語で制御して、インジェクション＋4連スロットルのパオってのは夢の1つだーね。点火制御もECU側でH/L信号をMOSFETのGに送り出せばダイレクト化できるし。

— 風早比古命（犬一坐/無格） (@874268463052709888) Sun Feb 21 14:03:05 +0000 2010

単相ならダイオードブリッジで、三相でも2つ入りのTO220のダイオード3つで全波整流してやりゃ、あとはMOSFET使ったレギュレート回路作ればなんとかなるけど

— 風早比古命（犬一坐/無格） (@874225947716665348) Sun Feb 21 14:03:05 +0000 2010

MOSFETレギュレターの件、信頼している電気の先生、青葉電装さんから『発電機の形式が違うので（XJに使うのは）無理』とのお返事をいただきました。

— YOSHIMURA Nobuya (@874225246336827392) Thu Jan 21 13:11:14 +0000 2010

十分にスイッチング速度が遅くて、定格の30%以上の電流を流す場合は、同じ定格のMOSFETよりもIGBTの方が高効率なのか？

— 銀茄子 (@874063983241641984) Sun Jul 12 06:25:43 +0000 2009

高速リカバリーダイオード内蔵のパワーMOSFET
STマイクロエレクトロニクスは2017年5月、高速リカバリーダイオードを内蔵した、スーパージャンクション型パワーMOSFET「MDmesh DK5」シリーズを発表した。ゼロ電圧スイッチングを備えたLLC共振コンバーターなど、さまざまな電力変換トポロジーの効率を最大化する。…

MOSFET – ウィキペディア
MOSFET（英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果 トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。 材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」と呼ばれ ……

MOSFETを使用したHブリッジモータドライバ回路について先日Pch（2SJ555）とNch（2S…
MOSFETを使用したHブリッジモータドライバ回路について先日Pch（2SJ555）とNch（2SK3163)のMOSFETを使用しHブリッジ回路を作成したところ設計ミスによりMOSFETが焼損しまし た。原因としては120WのDCモータを24V駆動しようとした際に、MOSFETのゲート－ソース間の電圧（Vgs）が絶対最大定格を超えていたためによるもの、正逆転切り替わり時の急激な電流変化によるサージ電圧によるものと判断しました。(ハイサイド側のMOSFET（2SJ555)のみ焼損した為) というわけで、Vgsを低くするためにいろいろ模索していたところハーフブリッジのゲートドライバICを2個使…


…以上、MOSFETに関する調査結果でした！

MOSFETのRdsで過電流検知する電源ICみてるんだけど、MOSFETをIGBTに置き換えるためにこの制御を殺す方法探してるけどわからん

— 銀茄子 (@874603673548079104) Sun Jul 12 06:25:43 +0000 2009